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ANALIZADOR DE SEMICONDUCTORES
Referencia: DCA55ANALIZADOR PARA COMPONENTES SEMICONDUCTORES
Características
- identificación automática de componentes
- identificación automática de la configuración de los pines
- Identificación de características especiales de los componentes, tales como protección de diodos o puentes de resistencias en transistores
- transistores bipolares: medición de ganancia y corriente de fuga, detección de silicio y germanio
- medición de umbrales de puerta en 'Enhancement Mode MOSFETs'
- medición de caídas de tensión en semiconductores para diodos, LEDs y transistores (Base-Emitter)
- desactivación automática y manual
Especificaciones
- corriente de pico de pruebas en cortocircuito (Isc): -5.5mA ~ 5.5mA
- tensión de pico de pruebas en circuito abierto (Voc): -5.1V ~ 5.1V
- transistor:
- rango de ganancia (Hfe): 4 ~ 65000
- precisión de ganancia: ±3% ±5 Hfe
- tensión de prueba Vceo: 2.0V ~ 3.0V
- precisión Vbe: -2%-20mV ~ +2%+20mV
- VBE para Darlington (shunted): 0.95V ~ 1.80V (0.75V ~ 1.80V)
- umbral shunt base-emitter : 50kOhm ~ 70kOhm
- corriente de prueba colector BJT: 2.45mA ~ 2.55mA
- corriente de fuga BJT aceptable: 0.7mA
- MOSFET:
- rango 'gate threshold': 0.1V ~ 5.0V
- presisión de umbral: -2%-20mV ~ +2%+20mV
- corriente de prueba 'drain': 2.45mA ~ 255mA
- resistencia 'gate': 8kOhm
- corriente de prueba 'depletion drain': 4.5mA
- corriente de prueba drain-source JFET: 0.5mA ~ 5.5mA
- Tiristor/Triac:
- corriente de prueba 'gate': 4.5mA
- corriente de prueba 'load': 5.0mA
- diodo:
- corriente de prueba: 5.0mA
- presición de tensión: -2%-20mV ~ +2%+20mV
- Vf para la identificación de LEDs: 1.50V ~ 4.00V
- short circuit threshold (umbral cortocircuito): 10Ohm
- batería:
- tipo: batería alcalina MN21 / L1028 / GP23A 12V
- rango de tensión: 7.50V ~ 12V
- indicación de batería baja: < 8.5V
- dimensiones: 103x70x20mmÂ
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ANALIZADOR PARA COMPONENTES SEMICONDUCTORES
Características
- identificación automática de componentes
- identificación automática de la configuración de los pines
- Identificación de características especiales de los componentes, tales como protección de diodos o puentes de resistencias en transistores
- transistores bipolares: medición de ganancia y corriente de fuga, detección de silicio y germanio
- medición de umbrales de puerta en 'Enhancement Mode MOSFETs'
- medición de caídas de tensión en semiconductores para diodos, LEDs y transistores (Base-Emitter)
- desactivación automática y manual
Especificaciones
- corriente de pico de pruebas en cortocircuito (Isc): -5.5mA ~ 5.5mA
- tensión de pico de pruebas en circuito abierto (Voc): -5.1V ~ 5.1V
- transistor:
- rango de ganancia (Hfe): 4 ~ 65000
- precisión de ganancia: ±3% ±5 Hfe
- tensión de prueba Vceo: 2.0V ~ 3.0V
- precisión Vbe: -2%-20mV ~ +2%+20mV
- VBE para Darlington (shunted): 0.95V ~ 1.80V (0.75V ~ 1.80V)
- umbral shunt base-emitter : 50kOhm ~ 70kOhm
- corriente de prueba colector BJT: 2.45mA ~ 2.55mA
- corriente de fuga BJT aceptable: 0.7mA
- MOSFET:
- rango 'gate threshold': 0.1V ~ 5.0V
- presisión de umbral: -2%-20mV ~ +2%+20mV
- corriente de prueba 'drain': 2.45mA ~ 255mA
- resistencia 'gate': 8kOhm
- corriente de prueba 'depletion drain': 4.5mA
- corriente de prueba drain-source JFET: 0.5mA ~ 5.5mA
- Tiristor/Triac:
- corriente de prueba 'gate': 4.5mA
- corriente de prueba 'load': 5.0mA
- diodo:
- corriente de prueba: 5.0mA
- presición de tensión: -2%-20mV ~ +2%+20mV
- Vf para la identificación de LEDs: 1.50V ~ 4.00V
- short circuit threshold (umbral cortocircuito): 10Ohm
- batería:
- tipo: batería alcalina MN21 / L1028 / GP23A 12V
- rango de tensión: 7.50V ~ 12V
- indicación de batería baja: < 8.5V
- dimensiones: 103x70x20mmÂ
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DCA55
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