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TRANSISTOR MOSFET N-HEXFET 100V 5A TO220
Referencia: IRF520TRANSISTOR N-HEXFET 100V 5A TO220
Descripción
Descripción
- MOSFET, N, TO-220AB
- Tipo de transistor: IC
- Transistor Polarity: N
- Tipo de tensión Vds: 100V
- Id Cont. actual: 9.2A
- El Estado de Resistencia: 0.2ohm
- Tensión Vgs Rds en medición: 10V
- Tipo de voltaje o Vgs: 4V
- Tipo de caja: TO-220AB
- Tipo de terminación: Agujero
- Temperatura de operación: -55 ° C a +175 ° C
- Id * Corriente máxima: 9.2A
- Máximo Voltaje Vds: 100V
- Máximo Voltaje Vgs: 20V
- Potencia de disipación: 60W
- El RDS medición de tensión: 10V
- Transistor de Tipo de caja: TO-220AB
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TRANSISTOR N-HEXFET 100V 5A TO220
Descripción
Descripción
- MOSFET, N, TO-220AB
- Tipo de transistor: IC
- Transistor Polarity: N
- Tipo de tensión Vds: 100V
- Id Cont. actual: 9.2A
- El Estado de Resistencia: 0.2ohm
- Tensión Vgs Rds en medición: 10V
- Tipo de voltaje o Vgs: 4V
- Tipo de caja: TO-220AB
- Tipo de terminación: Agujero
- Temperatura de operación: -55 ° C a +175 ° C
- Id * Corriente máxima: 9.2A
- Máximo Voltaje Vds: 100V
- Máximo Voltaje Vgs: 20V
- Potencia de disipación: 60W
- El RDS medición de tensión: 10V
- Transistor de Tipo de caja: TO-220AB
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IRF520
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