TRANSISTOR MOSFET N 100V 17A
Referencia: IRL530 Tipo de transistor    N-MOSFET   Â
Tecnología    HEXFET®   Â
Polarización    unipolar   Â
Tensión drenaje-fuente    100V   Â
Corriente del drenaje    17A   Â
Potencia    79W   Â
Carcasa    TO220AB   Â
Tensión puerta-fuente    ±16V   Â
Resistencia en estado de transferencia    100mΩ   Â
Montaje    THT   Â
Carga de puerta    22.7nC   Â
Clase de empaquetado    tubo   Â
Propiedades de elementos semiconductores    logic level

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14 días de devolución
 Tipo de transistor    N-MOSFET   Â
Tecnología    HEXFET®   Â
Polarización    unipolar   Â
Tensión drenaje-fuente    100V   Â
Corriente del drenaje    17A   Â
Potencia    79W   Â
Carcasa    TO220AB   Â
Tensión puerta-fuente    ±16V   Â
Resistencia en estado de transferencia    100mΩ   Â
Montaje    THT   Â
Carga de puerta    22.7nC   Â
Clase de empaquetado    tubo   Â
Propiedades de elementos semiconductores    logic level
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