MOSFET P 60V 90A 250W TO220AB
Referencia: SUP90P06-09LMOSFET 60V 90A 250W 9.3mohm @ 10V
Estilo de montaje: Through Hole
Empaquetado / Estuche: TO-220-3
Número de canales: 1 Channel
Polaridad de transistor: P-Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente): - 60 V
Id: corriente de drenaje continuo: 90 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia): 9.3 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente): 20 V
Temperatura operativa máxima: + 175 C
Modo canal: Enhancement
Configuración: Single
Tiempo de caída: 300 ns
Temperatura operativa mínima: - 55 C
Pd (disipación de potencia): 2.4 W
Tiempo de establecimiento: 190 ns
Cantidad del paquete de fábrica: 500
Tipo de transistor: 1 P-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado: 140 ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 20 ns
Todos los datos de compra son encriptados y protegidos
Envío en 48/72 horas
14 días de devolución
MOSFET 60V 90A 250W 9.3mohm @ 10V
Estilo de montaje: Through Hole
Empaquetado / Estuche: TO-220-3
Número de canales: 1 Channel
Polaridad de transistor: P-Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente): - 60 V
Id: corriente de drenaje continuo: 90 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia): 9.3 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente): 20 V
Temperatura operativa máxima: + 175 C
Modo canal: Enhancement
Configuración: Single
Tiempo de caída: 300 ns
Temperatura operativa mínima: - 55 C
Pd (disipación de potencia): 2.4 W
Tiempo de establecimiento: 190 ns
Cantidad del paquete de fábrica: 500
Tipo de transistor: 1 P-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado: 140 ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 20 ns
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