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TRANSISTOR SI-NPN 30V 0.2A TO 18
Referencia: BC109- TRANSISTOR, NPN, TO-18
- Tipo de transistor:Bipolar
- Polaridad del transistor:NPN
- Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:20V
- Max Current Ic Continuous a:0,1A
- Max Voltage Vce Sat:0.25V
- Potencia de disipación:0,6W
- Min Hfe:200
- Typ Gain Bandwidth ft:150MHZ
- Tipo de caja:TO-18
- Tipo de terminación:Agujero pasante
- Tensión IC hFE:2mA
- Full Power Rating Temperature:25°C
- Max Current Ic:0,1A
- Max Noise Factor:4dB
- Max Power Dissipation Ptot:600mW
- Min Gain Bandwidth ft:150MHZ
- N.° of Pins:3
- N.° of Transistors:1
- Configuración de pines:a
- Tensión Vcbo:30V
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- TRANSISTOR, NPN, TO-18
- Tipo de transistor:Bipolar
- Polaridad del transistor:NPN
- Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:20V
- Max Current Ic Continuous a:0,1A
- Max Voltage Vce Sat:0.25V
- Potencia de disipación:0,6W
- Min Hfe:200
- Typ Gain Bandwidth ft:150MHZ
- Tipo de caja:TO-18
- Tipo de terminación:Agujero pasante
- Tensión IC hFE:2mA
- Full Power Rating Temperature:25°C
- Max Current Ic:0,1A
- Max Noise Factor:4dB
- Max Power Dissipation Ptot:600mW
- Min Gain Bandwidth ft:150MHZ
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- N.° of Transistors:1
- Configuración de pines:a
- Tensión Vcbo:30V
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BC109
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