TRANSISTOR SI-PNP 60V 1A TO92

Referencia: BC637

TRANSISTOR PNP

Características:

Polaridad del transistor: PNP
Colector-emisor de Distribución de tensión: 45V
Tipo de ganancia pies de ancho de banda: 150MHz
Número de Pins: 3
SVHC: Dicloruro de cobalto
Tipo de caja: TO-92
Actual Ic hFE: 2 mA
Marcador: BC560
Full Power Rating Temperatura: 25 ° C
Corriente máxima Ic: 100 mA
Corriente máxima IC continua a: 100mA
Max Factor de ruido: 3dB
Max Potencia de disipación Ptot: 625mW
Número máximo de tensión VCE sat:-300mV
Min Ganancia pies de ancho de banda: 300MHz
Min Hfe: 110
Número de Transistores: 1
Configuración de pines: f
Disipación de potencia: 500mW
Tipo de terminación: Agujero
Tipo de transistor: Bipolar
Vcbo Tensión: 50V
Sustancias extremadamente preocupantes (adicionales): bis (2-etil (hexil) ftalato) (DEHP)

0,15 €

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TRANSISTOR PNP

Características:

Polaridad del transistor: PNP
Colector-emisor de Distribución de tensión: 45V
Tipo de ganancia pies de ancho de banda: 150MHz
Número de Pins: 3
SVHC: Dicloruro de cobalto
Tipo de caja: TO-92
Actual Ic hFE: 2 mA
Marcador: BC560
Full Power Rating Temperatura: 25 ° C
Corriente máxima Ic: 100 mA
Corriente máxima IC continua a: 100mA
Max Factor de ruido: 3dB
Max Potencia de disipación Ptot: 625mW
Número máximo de tensión VCE sat:-300mV
Min Ganancia pies de ancho de banda: 300MHz
Min Hfe: 110
Número de Transistores: 1
Configuración de pines: f
Disipación de potencia: 500mW
Tipo de terminación: Agujero
Tipo de transistor: Bipolar
Vcbo Tensión: 50V
Sustancias extremadamente preocupantes (adicionales): bis (2-etil (hexil) ftalato) (DEHP)