tip121

TRANSISTOR MOSFET N-HEXFET 200V 9A TO220

Referencia: IRF630
TRANS N-HEXFET 200V 9A TO220

Descripción
  • MOSFET, N, A-220
  • Tipo de transistor: IC
  • Máximo Voltaje Vds: 200V
  • El Estado de Resistencia: 0.4ohm
  • El RDS medición de tensión: 10V
  • Potencia de disipación: 100W
  • Transistor de Tipo de caja: A-220
  • N ° de Pins: 3
  • Tipo de caja Suplente: SOT-78B
  • Tipo de caja: TO-220
  • Id Cont. actual: 9A
  • Temperatura actual: 25 ° C
  • Full Power Rating Temperatura: 25 ° C
  • Lead Spacing: 2.54mm
  • Máximo Voltaje ° Vgs: 4V
  • Tensión de Vgs th: 2V
  • Número de Transistores: 1
  • Sobre la resistencia del Estado @ Vgs = 10V: 0.4ohm
  • Formato de pin: 1G, (2 + Tab) D, 3S
  • Potencia de disipación Pd: 100W
  • Pulso de corriente IDM: 36A
  • Tipo de terminación: Agujero
  • Transistor Polarity: N
  • Tipo Ciss Capacitance: 540pF
  • Tipo Reverse Recovery Time, trr: 170ns
  • Tipo de tensión Vds: 200V
  • Tipo de voltaje o Vgs: 3V
  • Tensión Vgs Rds en medición: 10V
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TRANS N-HEXFET 200V 9A TO220

Descripción
  • MOSFET, N, A-220
  • Tipo de transistor: IC
  • Máximo Voltaje Vds: 200V
  • El Estado de Resistencia: 0.4ohm
  • El RDS medición de tensión: 10V
  • Potencia de disipación: 100W
  • Transistor de Tipo de caja: A-220
  • N ° de Pins: 3
  • Tipo de caja Suplente: SOT-78B
  • Tipo de caja: TO-220
  • Id Cont. actual: 9A
  • Temperatura actual: 25 ° C
  • Full Power Rating Temperatura: 25 ° C
  • Lead Spacing: 2.54mm
  • Máximo Voltaje ° Vgs: 4V
  • Tensión de Vgs th: 2V
  • Número de Transistores: 1
  • Sobre la resistencia del Estado @ Vgs = 10V: 0.4ohm
  • Formato de pin: 1G, (2 + Tab) D, 3S
  • Potencia de disipación Pd: 100W
  • Pulso de corriente IDM: 36A
  • Tipo de terminación: Agujero
  • Transistor Polarity: N
  • Tipo Ciss Capacitance: 540pF
  • Tipo Reverse Recovery Time, trr: 170ns
  • Tipo de tensión Vds: 200V
  • Tipo de voltaje o Vgs: 3V
  • Tensión Vgs Rds en medición: 10V

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IRF630
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