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TRANSISTOR MOSFET N-HEXFET 100V 10A TO220
Referencia: IRF530TRANSISTOR N-HEXFET 100V 10A TO220
Descripción
Descripción
- MOSFET, N-220 A
- Tipo de transistor: IC
- Polaridad del transistor: N
- Id Cont. actual: 10A
- Temperatura actual: 25 ° C
- Marcador: IRF530N
- Full Power Rating Temperatura: 25 ° C
- Lead Spacing: 2.54mm
- Máximo Voltaje Vds: 100V
- N. ° de Pins: 3
- N. ° de Transistores: 1
- Configuración de pinos: un
- Formato de pin: 1 g de
- Potencia de Disipación: 63W
- Potencia de disipación Pd: 63W
- Pulso de corriente IDM: 60A
- Transistor de Tipo de caja: TO-220AB
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TRANSISTOR N-HEXFET 100V 10A TO220
Descripción
Descripción
- MOSFET, N-220 A
- Tipo de transistor: IC
- Polaridad del transistor: N
- Id Cont. actual: 10A
- Temperatura actual: 25 ° C
- Marcador: IRF530N
- Full Power Rating Temperatura: 25 ° C
- Lead Spacing: 2.54mm
- Máximo Voltaje Vds: 100V
- N. ° de Pins: 3
- N. ° de Transistores: 1
- Configuración de pinos: un
- Formato de pin: 1 g de
- Potencia de Disipación: 63W
- Potencia de disipación Pd: 63W
- Pulso de corriente IDM: 60A
- Transistor de Tipo de caja: TO-220AB
Traje del día
IRF530
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