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TRANSISTOR MOSFET N 200V 18A TO220
Referencia: IRF640TRANS N-HEXFET 200V 9A TO220
Descripción
- MOSFET, N, A-220
- Tipo de transistor: IC
- Máximo Voltaje Vds: 200V
- El Estado de Resistencia: 0.4ohm
- El RDS medición de tensión: 10V
- Potencia de disipación: 100W
- Transistor de Tipo de caja: A-220
- N ° de Pins: 3
- Tipo de caja Suplente: SOT-78B
- Tipo de caja: TO-220
- Id Cont. actual: 9A
- Temperatura actual: 25 ° C
- Full Power Rating Temperatura: 25 ° C
- Lead Spacing: 2.54mm
- Máximo Voltaje ° Vgs: 4V
- Tensión de Vgs th: 2V
- Número de Transistores: 1
- Sobre la resistencia del Estado @ Vgs = 10V: 0.4ohm
- Formato de pin: 1G, (2 + Tab) D, 3S
- Potencia de disipación Pd: 100W
- Pulso de corriente IDM: 36A
- Tipo de terminación: Agujero
- Transistor Polarity: N
- Tipo Ciss Capacitance: 540pF
- Tipo Reverse Recovery Time, trr: 170ns
- Tipo de tensión Vds: 200V
- Tipo de voltaje o Vgs: 3V
- Tensión Vgs Rds en medición: 10V
1,69 €
2,04 €
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Política de devolución
14 días de devolución
TRANS N-HEXFET 200V 9A TO220
Descripción
- MOSFET, N, A-220
- Tipo de transistor: IC
- Máximo Voltaje Vds: 200V
- El Estado de Resistencia: 0.4ohm
- El RDS medición de tensión: 10V
- Potencia de disipación: 100W
- Transistor de Tipo de caja: A-220
- N ° de Pins: 3
- Tipo de caja Suplente: SOT-78B
- Tipo de caja: TO-220
- Id Cont. actual: 9A
- Temperatura actual: 25 ° C
- Full Power Rating Temperatura: 25 ° C
- Lead Spacing: 2.54mm
- Máximo Voltaje ° Vgs: 4V
- Tensión de Vgs th: 2V
- Número de Transistores: 1
- Sobre la resistencia del Estado @ Vgs = 10V: 0.4ohm
- Formato de pin: 1G, (2 + Tab) D, 3S
- Potencia de disipación Pd: 100W
- Pulso de corriente IDM: 36A
- Tipo de terminación: Agujero
- Transistor Polarity: N
- Tipo Ciss Capacitance: 540pF
- Tipo Reverse Recovery Time, trr: 170ns
- Tipo de tensión Vds: 200V
- Tipo de voltaje o Vgs: 3V
- Tensión Vgs Rds en medición: 10V
Traje del día
IRF640
Nuevo
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