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TRANS SI-PNP 100V 12A TO220
Referencia: BD712Transistor PNP
Especificaciones:
Especificaciones:
- VCBO Collector-Base Voltage (IE = 0): 100 V
- VCER colector-emisor de tensión (VBE = 0):Â 100 V
- VCEO Collector-Emitter Voltage (IB = 0): 100 V
- Vebo Emisor-Base Voltage (IC = 0) 5 V
- IC Collector Current 12 A
- ICM Collector Pico de corriente 18 A
- IB Base 5 A
- Ptot total de disipación en el TC 3 25 oC 75 W
- Ts tg Temperatura de almacenamiento -65 a 150 ° C
- TJ Max. Operating Junction Temperature 150 oC
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Transistor PNP
Especificaciones:
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- VCBO Collector-Base Voltage (IE = 0): 100 V
- VCER colector-emisor de tensión (VBE = 0):Â 100 V
- VCEO Collector-Emitter Voltage (IB = 0): 100 V
- Vebo Emisor-Base Voltage (IC = 0) 5 V
- IC Collector Current 12 A
- ICM Collector Pico de corriente 18 A
- IB Base 5 A
- Ptot total de disipación en el TC 3 25 oC 75 W
- Ts tg Temperatura de almacenamiento -65 a 150 ° C
- TJ Max. Operating Junction Temperature 150 oC
BD712
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