TO22O

TRANS SI-PNP 100V 12A TO220

Referencia: BD712
Transistor PNP

Especificaciones:
  • VCBO Collector-Base Voltage (IE = 0): 100 V
  • VCER colector-emisor de tensión (VBE = 0): 100 V
  • VCEO Collector-Emitter Voltage (IB = 0): 100 V
  • Vebo Emisor-Base Voltage (IC = 0) 5 V
  • IC Collector Current 12 A
  • ICM Collector Pico de corriente 18 A
  • IB Base 5 A
  • Ptot total de disipación en el TC 3 25 oC 75 W
  • Ts tg Temperatura de almacenamiento -65 a 150 ° C
  • TJ Max. Operating Junction Temperature 150 oC
0,71 €
0,86 €
(impuestos excl.)
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Transistor PNP

Especificaciones:
  • VCBO Collector-Base Voltage (IE = 0): 100 V
  • VCER colector-emisor de tensión (VBE = 0): 100 V
  • VCEO Collector-Emitter Voltage (IB = 0): 100 V
  • Vebo Emisor-Base Voltage (IC = 0) 5 V
  • IC Collector Current 12 A
  • ICM Collector Pico de corriente 18 A
  • IB Base 5 A
  • Ptot total de disipación en el TC 3 25 oC 75 W
  • Ts tg Temperatura de almacenamiento -65 a 150 ° C
  • TJ Max. Operating Junction Temperature 150 oC

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BD712
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