TRT MOS N FET 500V 2.5A TO-220

TRT MOS N FET 500V 2.5A TO-220

Referencia: IRF820
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TRT MOS N FET 500V 2.5A TO-220

Descripción
  • MOSFET, N, 500V, 2.5A, TO-220
  • Tipo de transistor: IC
  • Máximo Voltaje Vds: 500V
  • El Estado de Resistencia: 3ohm
  • Potencia de disipación: 50W
  • Transistor de Tipo de caja: TO-220AB
  • N º de Pins: 3
  • Tipo de caja: TO-220AB
  • Id Cont. actual: 2,5
  • Potencia de disipación máxima Ptot: 38W
  • Máximo Voltaje º Vgs: 4.5V
  • Potencia de disipación Pd: 50W
  • Pulso de corriente IDM: 10A
  • Tipo de terminación: Agujero
  • Transistor Polarity: N
  • Tensión Vgs Rds en medición: 10V


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