bd442

TRANSISTOR SI-PNP 80V 4A TO126

Referencia: BD442

Transistores PNP 80V 4A

Especificaciones:

  • VCBO colector-base de tensión(Emisor abierto): -80V
  • VCEO colector-emisor de tensión(base abierta): -80V
  • Vebo emisor-colector (tensión de la base abierta):  -5 V
  • IC Collector corriente continua (CC): -4 A
  • ICM Collector actual Pico A:  -7A
  • IB Base actual:  -1 A
  • PC de disipación de energía Collector Tc = 25°C:  36 W
  • Tj temperatura cruce: 150°C
  • Tstg Temperatura de almacenamiento: -65 ~ 150 °C
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Transistores PNP 80V 4A

Especificaciones:

  • VCBO colector-base de tensión(Emisor abierto): -80V
  • VCEO colector-emisor de tensión(base abierta): -80V
  • Vebo emisor-colector (tensión de la base abierta):  -5 V
  • IC Collector corriente continua (CC): -4 A
  • ICM Collector actual Pico A:  -7A
  • IB Base actual:  -1 A
  • PC de disipación de energía Collector Tc = 25°C:  36 W
  • Tj temperatura cruce: 150°C
  • Tstg Temperatura de almacenamiento: -65 ~ 150 °C
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