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TRANSISTOR MOSFET N 100V 17A

Referencia: IRL530

 Tipo de transistor     N-MOSFET     
Tecnología     HEXFET®     
Polarización     unipolar     
Tensión drenaje-fuente     100V     
Corriente del drenaje     17A     
Potencia     79W     
Carcasa     TO220AB     
Tensión puerta-fuente     ±16V     
Resistencia en estado de transferencia     100mΩ     
Montaje     THT     
Carga de puerta     22.7nC     
Clase de empaquetado     tubo     
Propiedades de elementos semiconductores     logic level

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  Política de devolución

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 Tipo de transistor     N-MOSFET     
Tecnología     HEXFET®     
Polarización     unipolar     
Tensión drenaje-fuente     100V     
Corriente del drenaje     17A     
Potencia     79W     
Carcasa     TO220AB     
Tensión puerta-fuente     ±16V     
Resistencia en estado de transferencia     100mΩ     
Montaje     THT     
Carga de puerta     22.7nC     
Clase de empaquetado     tubo     
Propiedades de elementos semiconductores     logic level

IRL530
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